Vishay Siliconix - SI7222DN-T1-GE3

KEY Part #: K6524076

[3953pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    SI7222DN-T1-GE3
    Tagagawa:
    Vishay Siliconix
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Transistor - IGBTs - Mga Module, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Transistor - IGBTs - Arrays, Mga module ng Power driver, Diode - Rectifiers - Single, Diode - Rectifiers - Arrays and Transistor - Mga FET, MOSFET - Single ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7222DN-T1-GE3 electronic components. SI7222DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7222DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7222DN-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : SI7222DN-T1-GE3
    Tagagawa : Vishay Siliconix
    Paglalarawan : MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
    Serye : TrenchFET®
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual)
    Tampok ng FET : Standard
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 40V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 5.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 20V
    Kapangyarihan - Max : 17.8W
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Surface Mount
    Pakete / Kaso : PowerPAK® 1212-8 Dual
    Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® 1212-8 Dual