IXYS - IXFH60N65X2-4

KEY Part #: K6394721

IXFH60N65X2-4 Pagpepresyo (USD) [11404pcs Stock]

  • 1 pcs$3.61374

Bilang ng Bahagi:
IXFH60N65X2-4
Tagagawa:
IXYS
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Programmable Unijunction, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristors - Mga TRIAC, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs and Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in IXYS IXFH60N65X2-4 electronic components. IXFH60N65X2-4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH60N65X2-4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH60N65X2-4 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : IXFH60N65X2-4
Tagagawa : IXYS
Paglalarawan : MOSFET N-CH
Serye : HiPerFET™
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 650V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 108nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6300pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 780W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Package ng Tagabigay ng Device : TO-247-4L
Pakete / Kaso : TO-247-4