Vishay Siliconix - SIR638DP-T1-RE3

KEY Part #: K6419476

SIR638DP-T1-RE3 Pagpepresyo (USD) [114038pcs Stock]

  • 1 pcs$0.32434

Bilang ng Bahagi:
SIR638DP-T1-RE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Zener - Single, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Diode - Rectifiers - Arrays, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Mga module ng Power driver and Transistor - Espesyal na Pakay ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SIR638DP-T1-RE3 electronic components. SIR638DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR638DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR638DP-T1-RE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SIR638DP-T1-RE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO
Serye : TrenchFET® Gen IV
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 40V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 204nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 10500pF @ 20V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 104W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® SO-8
Pakete / Kaso : PowerPAK® SO-8

Maaari ka ring Makisalamuha sa