Vishay Siliconix - SI2371EDS-T1-GE3

KEY Part #: K6404978

SI2371EDS-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [899243pcs Stock]

  • 1 pcs$0.04113
  • 3,000 pcs$0.03915

Bilang ng Bahagi:
SI2371EDS-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Thyristors - Mga SCR, Transistor - IGBTs - Mga Module, Transistor - Espesyal na Pakay, Diode - Rectifiers - Single, Thyristors - DIACs, SIDACs, Transistor - Programmable Unijunction and Transistor - Mga FET, MOSFET - Single ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI2371EDS-T1-GE3 electronic components. SI2371EDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2371EDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2371EDS-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI2371EDS-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : P-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 4.8A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : SOT-23
Pakete / Kaso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Maaari ka ring Makisalamuha sa