Diodes Incorporated - DMN65D8LDW-7

KEY Part #: K6525412

DMN65D8LDW-7 Pagpepresyo (USD) [1244959pcs Stock]

  • 1 pcs$0.02971
  • 3,000 pcs$0.02723

Bilang ng Bahagi:
DMN65D8LDW-7
Tagagawa:
Diodes Incorporated
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Thyristors - Mga TRIAC, Transistor - Programmable Unijunction, Diode - Zener - Single, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistors - IGBTs - Single and Diode - Zener - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Diodes Incorporated DMN65D8LDW-7 electronic components. DMN65D8LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN65D8LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN65D8LDW-7 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : DMN65D8LDW-7
Tagagawa : Diodes Incorporated
Paglalarawan : MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual)
Tampok ng FET : Logic Level Gate
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 60V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Kapangyarihan - Max : 300mW
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package ng Tagabigay ng Device : SOT-363