IXYS - IXTP08N100P

KEY Part #: K6394734

IXTP08N100P Pagpepresyo (USD) [59377pcs Stock]

  • 1 pcs$0.76105
  • 50 pcs$0.75726

Bilang ng Bahagi:
IXTP08N100P
Tagagawa:
IXYS
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistor - IGBTs - Arrays, Thyristors - DIACs, SIDACs, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Diode - Rectifiers - Single, Diode - Zener - Arrays and Diode - Zener - Single ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in IXYS IXTP08N100P electronic components. IXTP08N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP08N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP08N100P Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : IXTP08N100P
Tagagawa : IXYS
Paglalarawan : MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
Serye : Polar™
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 1000V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 800mA (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 42W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Package ng Tagabigay ng Device : TO-220AB
Pakete / Kaso : TO-220-3