IXYS - IXTA08N100D2HV

KEY Part #: K6395195

IXTA08N100D2HV Pagpepresyo (USD) [41564pcs Stock]

  • 1 pcs$0.94072

Bilang ng Bahagi:
IXTA08N100D2HV
Tagagawa:
IXYS
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Mga Transistor - JFET, Thyristors - Mga TRIAC, Transistors - IGBTs - Single, Transistor - Espesyal na Pakay, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Transistor - Programmable Unijunction and Mga Transistor - FET, MOSFET - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in IXYS IXTA08N100D2HV electronic components. IXTA08N100D2HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA08N100D2HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA08N100D2HV Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : IXTA08N100D2HV
Tagagawa : IXYS
Paglalarawan : MOSFET N-CH
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 1000V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 800mA (Tj)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14.6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 25V
Tampok ng FET : Depletion Mode
Power Dissipation (Max) : 60W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : TO-263HV
Pakete / Kaso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB