Vishay Siliconix - SI6968BEDQ-T1-E3

KEY Part #: K6522072

SI6968BEDQ-T1-E3 Pagpepresyo (USD) [142562pcs Stock]

  • 1 pcs$0.25945
  • 3,000 pcs$0.24363

Bilang ng Bahagi:
SI6968BEDQ-T1-E3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Diode - Rectifiers - Arrays, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistors - IGBTs - Single, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased and Transistor - Espesyal na Pakay ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI6968BEDQ-T1-E3 electronic components. SI6968BEDQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6968BEDQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6968BEDQ-T1-E3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI6968BEDQ-T1-E3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tampok ng FET : Logic Level Gate
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 20V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Kapangyarihan - Max : 1W
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package ng Tagabigay ng Device : 8-TSSOP

Maaari ka ring Makisalamuha sa