Vishay Siliconix - SQ9945BEY-T1_GE3

KEY Part #: K6525291

SQ9945BEY-T1_GE3 Pagpepresyo (USD) [176985pcs Stock]

  • 1 pcs$0.20899
  • 2,500 pcs$0.17663

Bilang ng Bahagi:
SQ9945BEY-T1_GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCR - Mga Module, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Diode - Rectifiers - Arrays, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Transistor - IGBTs - Arrays and Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SQ9945BEY-T1_GE3 electronic components. SQ9945BEY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ9945BEY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ9945BEY-T1_GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SQ9945BEY-T1_GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual)
Tampok ng FET : Logic Level Gate
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 60V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V
Kapangyarihan - Max : 4W
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package ng Tagabigay ng Device : 8-SO