Diodes Incorporated - ZXMN3AM832TA

KEY Part #: K6524875

[3686pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    ZXMN3AM832TA
    Tagagawa:
    Diodes Incorporated
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Transistor - Programmable Unijunction, Diode - Zener - Single, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Thyristors - SCR - Mga Module, Thyristors - DIACs, SIDACs and Mga module ng Power driver ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN3AM832TA electronic components. ZXMN3AM832TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN3AM832TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN3AM832TA Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : ZXMN3AM832TA
    Tagagawa : Diodes Incorporated
    Paglalarawan : MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
    Serye : -
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual)
    Tampok ng FET : Logic Level Gate
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 2.9A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 25V
    Kapangyarihan - Max : 1.13W
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Surface Mount
    Pakete / Kaso : 8-VDFN Exposed Pad
    Package ng Tagabigay ng Device : 8-MLP (3x2)