Infineon Technologies - BSZ900N15NS3GATMA1

KEY Part #: K6420359

BSZ900N15NS3GATMA1 Pagpepresyo (USD) [187296pcs Stock]

  • 1 pcs$0.19748

Bilang ng Bahagi:
BSZ900N15NS3GATMA1
Tagagawa:
Infineon Technologies
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - JFET, Diode - Zener - Arrays, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Thyristors - SCR - Mga Module, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF and Thyristors - Mga SCR ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Infineon Technologies BSZ900N15NS3GATMA1 electronic components. BSZ900N15NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ900N15NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ900N15NS3GATMA1 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : BSZ900N15NS3GATMA1
Tagagawa : Infineon Technologies
Paglalarawan : MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Serye : OptiMOS™
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 150V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 75V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 38W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : PG-TSDSON-8
Pakete / Kaso : 8-PowerTDFN

Maaari ka ring Makisalamuha sa