EPC - EPC2001C

KEY Part #: K6417096

EPC2001C Pagpepresyo (USD) [41490pcs Stock]

  • 1 pcs$0.98973
  • 2,500 pcs$0.98481

Bilang ng Bahagi:
EPC2001C
Tagagawa:
EPC
Detalyadong Paglalarawan:
GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Diode - Rectifiers - Single, Thyristors - SCR - Mga Module, Mga Transistor - JFET, Thyristors - Mga TRIAC, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Thyristors - DIACs, SIDACs and Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in EPC EPC2001C electronic components. EPC2001C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2001C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2001C Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : EPC2001C
Tagagawa : EPC
Paglalarawan : GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
Serye : eGaN®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 100V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 36A (Ta)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 50V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : -
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : Die Outline (11-Solder Bar)
Pakete / Kaso : Die
Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.