Vishay Siliconix - SI7923DN-T1-GE3

KEY Part #: K6522073

SI7923DN-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [115693pcs Stock]

  • 1 pcs$0.31970
  • 3,000 pcs$0.28444

Bilang ng Bahagi:
SI7923DN-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Programmable Unijunction, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Diode - Rectifiers - Arrays, Diode - RF, Transistor - Espesyal na Pakay, Diode - Zener - Single, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single and Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI7923DN-T1-GE3 electronic components. SI7923DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7923DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7923DN-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI7923DN-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : 2 P-Channel (Dual)
Tampok ng FET : Logic Level Gate
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Kapangyarihan - Max : 1.3W
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : PowerPAK® 1212-8 Dual
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® 1212-8 Dual