Vishay Siliconix - SI7949DP-T1-E3

KEY Part #: K6524923

SI7949DP-T1-E3 Pagpepresyo (USD) [111328pcs Stock]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.70283
  • 100 pcs$0.56489
  • 500 pcs$0.43936
  • 1,000 pcs$0.34437

Bilang ng Bahagi:
SI7949DP-T1-E3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Espesyal na Pakay, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Thyristors - Mga TRIAC, Diode - Rectifiers - Arrays, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Programmable Unijunction and Diode - Zener - Single ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI7949DP-T1-E3 electronic components. SI7949DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7949DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7949DP-T1-E3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI7949DP-T1-E3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : 2 P-Channel (Dual)
Tampok ng FET : Logic Level Gate
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 60V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Kapangyarihan - Max : 1.5W
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : PowerPAK® SO-8 Dual
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® SO-8 Dual

Maaari ka ring Makisalamuha sa