Vishay Siliconix - SQD50N04-4M5L_GE3

KEY Part #: K6418825

SQD50N04-4M5L_GE3 Pagpepresyo (USD) [79216pcs Stock]

  • 1 pcs$0.49360

Bilang ng Bahagi:
SQD50N04-4M5L_GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Mga module ng Power driver, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Espesyal na Pakay, Thyristors - Mga SCR, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF and Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SQD50N04-4M5L_GE3 electronic components. SQD50N04-4M5L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD50N04-4M5L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD50N04-4M5L_GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SQD50N04-4M5L_GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 40V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5860pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 136W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : TO-252AA
Pakete / Kaso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63