Vishay Siliconix - SIF912EDZ-T1-E3

KEY Part #: K6524368

[4644pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    SIF912EDZ-T1-E3
    Tagagawa:
    Vishay Siliconix
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Diode - Zener - Arrays, Diode - Zener - Single, Transistor - Programmable Unijunction, Transistors - IGBTs - Single, Mga Transistor - JFET, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors and Diode - RF ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in Vishay Siliconix SIF912EDZ-T1-E3 electronic components. SIF912EDZ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIF912EDZ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIF912EDZ-T1-E3 Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : SIF912EDZ-T1-E3
    Tagagawa : Vishay Siliconix
    Paglalarawan : MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
    Serye : TrenchFET®
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    Tampok ng FET : Logic Level Gate
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 7.4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Kapangyarihan - Max : 1.6W
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Surface Mount
    Pakete / Kaso : PowerPAK® 2x5
    Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® (2x5)