Vishay Siliconix - SIA465EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6421412

SIA465EDJ-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [530527pcs Stock]

  • 1 pcs$0.06972

Bilang ng Bahagi:
SIA465EDJ-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistors - IGBTs - Single, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Diode - Rectifiers - Arrays, Mga module ng Power driver, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Diode - Zener - Single and Diode - Zener - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SIA465EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA465EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA465EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA465EDJ-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SIA465EDJ-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : P-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 20V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2130pF @ 10V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 19W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakete / Kaso : PowerPAK® SC-70-6

Maaari ka ring Makisalamuha sa