IXYS - IXFC14N80P

KEY Part #: K6408893

[470pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    IXFC14N80P
    Tagagawa:
    IXYS
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Thyristors - Mga SCR, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Mga module ng Power driver, Transistor - Programmable Unijunction, Diode - Zener - Arrays, Transistor - IGBTs - Mga Module and Transistor - Espesyal na Pakay ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in IXYS IXFC14N80P electronic components. IXFC14N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFC14N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFC14N80P Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : IXFC14N80P
    Tagagawa : IXYS
    Paglalarawan : MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
    Serye : HiPerFET™, PolarHT™
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : N-Channel
    Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 800V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
    Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 770 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 25V
    Tampok ng FET : -
    Power Dissipation (Max) : 130W (Tc)
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Through Hole
    Package ng Tagabigay ng Device : ISOPLUS220™
    Pakete / Kaso : ISOPLUS220™