ON Semiconductor - FQB8N90CTM

KEY Part #: K6392717

FQB8N90CTM Pagpepresyo (USD) [59774pcs Stock]

  • 1 pcs$0.65414
  • 800 pcs$0.63510

Bilang ng Bahagi:
FQB8N90CTM
Tagagawa:
ON Semiconductor
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistor - Espesyal na Pakay, Thyristors - Mga TRIAC, Transistors - IGBTs - Single, Mga Transistor - JFET, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Thyristors - DIACs, SIDACs and Diode - Zener - Single ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in ON Semiconductor FQB8N90CTM electronic components. FQB8N90CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB8N90CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB8N90CTM Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : FQB8N90CTM
Tagagawa : ON Semiconductor
Paglalarawan : MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
Serye : QFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 900V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 6.3A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2080pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 171W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : D²PAK (TO-263AB)
Pakete / Kaso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Maaari ka ring Makisalamuha sa