Vishay Siliconix - SI6413DQ-T1-GE3

KEY Part #: K6394349

SI6413DQ-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [91270pcs Stock]

  • 1 pcs$0.43055
  • 3,000 pcs$0.42841

Bilang ng Bahagi:
SI6413DQ-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Thyristors - Mga SCR, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Transistor - IGBTs - Arrays, Transistors - IGBTs - Single, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays and Mga module ng Power driver ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI6413DQ-T1-GE3 electronic components. SI6413DQ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6413DQ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6413DQ-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI6413DQ-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : P-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 20V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 7.2A (Ta)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 1.05W (Ta)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : 8-TSSOP
Pakete / Kaso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)