Vishay Siliconix - SI1424EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421517

SI1424EDH-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [697660pcs Stock]

  • 1 pcs$0.05302
  • 3,000 pcs$0.05025

Bilang ng Bahagi:
SI1424EDH-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Rectifiers - Single, Transistor - IGBTs - Arrays, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Diode - Rectifiers - Arrays, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Thyristors - SCR - Mga Module and Mga Transistor - FET, MOSFET - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI1424EDH-T1-GE3 electronic components. SI1424EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1424EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1424EDH-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI1424EDH-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 20V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : SOT-363
Pakete / Kaso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363