Vishay Siliconix - SI5999EDU-T1-GE3

KEY Part #: K6523833

SI5999EDU-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [4034pcs Stock]

  • 3,000 pcs$0.09462

Bilang ng Bahagi:
SI5999EDU-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Thyristors - Mga SCR, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Thyristors - Mga TRIAC, Transistors - IGBTs - Single, Diode - Mga Rectifier ng Bridge and Mga Transistor - JFET ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 electronic components. SI5999EDU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5999EDU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5999EDU-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI5999EDU-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Obsolete
Uri ng FET : 2 P-Channel (Dual)
Tampok ng FET : Logic Level Gate
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 20V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 496pF @ 10V
Kapangyarihan - Max : 10.4W
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® ChipFet Dual

Maaari ka ring Makisalamuha sa