Infineon Technologies - IRFHM8363TR2PBF

KEY Part #: K6523918

[4005pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    IRFHM8363TR2PBF
    Tagagawa:
    Infineon Technologies
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Transistor - Espesyal na Pakay, Thyristors - Mga TRIAC, Diode - Zener - Arrays, Transistors - IGBTs - Single, Diode - Zener - Single, Diode - Rectifiers - Arrays and Thyristors - SCR - Mga Module ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF electronic components. IRFHM8363TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8363TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFHM8363TR2PBF Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : IRFHM8363TR2PBF
    Tagagawa : Infineon Technologies
    Paglalarawan : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
    Serye : HEXFET®
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual)
    Tampok ng FET : Logic Level Gate
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 11A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1165pF @ 10V
    Kapangyarihan - Max : 2.7W
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Surface Mount
    Pakete / Kaso : 8-PowerVDFN
    Package ng Tagabigay ng Device : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

    Maaari ka ring Makisalamuha sa