ON Semiconductor - HGT1S10N120BNST

KEY Part #: K6421773

HGT1S10N120BNST Pagpepresyo (USD) [51869pcs Stock]

  • 1 pcs$0.96859
  • 800 pcs$0.96377
  • 1,600 pcs$0.81282
  • 2,400 pcs$0.77411

Bilang ng Bahagi:
HGT1S10N120BNST
Tagagawa:
ON Semiconductor
Detalyadong Paglalarawan:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Mga Transistor - JFET, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Diode - Rectifiers - Arrays, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Transistor - IGBTs - Mga Module, Thyristors - SCR - Mga Module and Diode - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in ON Semiconductor HGT1S10N120BNST electronic components. HGT1S10N120BNST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S10N120BNST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGT1S10N120BNST Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : HGT1S10N120BNST
Tagagawa : ON Semiconductor
Paglalarawan : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng IGBT : NPT
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) : 1200V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) : 35A
Kasalukuyang - Kolektor ng Pulsed (Icm) : 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Kapangyarihan - Max : 298W
Paglipat ng Enerhiya : 320µJ (on), 800µJ (off)
Uri ng input : Standard
Gate Charge : 100nC
Td (on / off) @ 25 ° C : 23ns/165ns
Kondisyon ng Pagsubok : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package ng Tagabigay ng Device : TO-263AB

Maaari ka ring Makisalamuha sa