Vishay Siliconix - SIRC10DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405379

SIRC10DP-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [240506pcs Stock]

  • 1 pcs$0.15456
  • 3,000 pcs$0.15379

Bilang ng Bahagi:
SIRC10DP-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Diode - RF, Diode - Zener - Single, Transistors - IGBTs - Single, Thyristors - Mga SCR, Transistor - IGBTs - Arrays, Transistor - Bipolar (BJT) - Single and Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SIRC10DP-T1-GE3 electronic components. SIRC10DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRC10DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRC10DP-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SIRC10DP-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Serye : TrenchFET® Gen IV
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1873pF @ 15V
Tampok ng FET : Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max) : 43W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® SO-8
Pakete / Kaso : PowerPAK® SO-8

Maaari ka ring Makisalamuha sa