ON Semiconductor - HGTP10N120BN

KEY Part #: K6424877

HGTP10N120BN Pagpepresyo (USD) [52422pcs Stock]

  • 1 pcs$0.74960
  • 800 pcs$0.74587

Bilang ng Bahagi:
HGTP10N120BN
Tagagawa:
ON Semiconductor
Detalyadong Paglalarawan:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Diode - RF, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Mga module ng Power driver, Diode - Zener - Single, Thyristors - Mga TRIAC and Transistors - IGBTs - Single ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in ON Semiconductor HGTP10N120BN electronic components. HGTP10N120BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP10N120BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP10N120BN Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : HGTP10N120BN
Tagagawa : ON Semiconductor
Paglalarawan : IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Not For New Designs
Uri ng IGBT : NPT
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) : 1200V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) : 35A
Kasalukuyang - Kolektor ng Pulsed (Icm) : 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Kapangyarihan - Max : 298W
Paglipat ng Enerhiya : 320µJ (on), 800µJ (off)
Uri ng input : Standard
Gate Charge : 100nC
Td (on / off) @ 25 ° C : 23ns/165ns
Kondisyon ng Pagsubok : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Pakete / Kaso : TO-220-3
Package ng Tagabigay ng Device : TO-220-3