IXYS - MIEB101W1200EH

KEY Part #: K6534414

MIEB101W1200EH Pagpepresyo (USD) [675pcs Stock]

  • 1 pcs$72.49644
  • 5 pcs$72.13576

Bilang ng Bahagi:
MIEB101W1200EH
Tagagawa:
IXYS
Detalyadong Paglalarawan:
IGBT MODULE 1200V 183A HEX.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Diode - Zener - Single, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistor - Espesyal na Pakay, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Bipolar (BJT) - Single and Mga module ng Power driver ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in IXYS MIEB101W1200EH electronic components. MIEB101W1200EH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MIEB101W1200EH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MIEB101W1200EH Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : MIEB101W1200EH
Tagagawa : IXYS
Paglalarawan : IGBT MODULE 1200V 183A HEX
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng IGBT : -
Pag-configure : Three Phase Inverter
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) : 1200V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) : 183A
Kapangyarihan - Max : 630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max) : 300µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 7.43nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : No
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 125°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Chassis Mount
Pakete / Kaso : E3
Package ng Tagabigay ng Device : E3

Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.