Infineon Technologies - BSC014N06NSATMA1

KEY Part #: K6418281

BSC014N06NSATMA1 Pagpepresyo (USD) [57454pcs Stock]

  • 1 pcs$0.68055
  • 5,000 pcs$0.61217

Bilang ng Bahagi:
BSC014N06NSATMA1
Tagagawa:
Infineon Technologies
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - JFET, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistor - IGBTs - Mga Module, Thyristors - DIACs, SIDACs, Transistor - IGBTs - Arrays, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF and Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Infineon Technologies BSC014N06NSATMA1 electronic components. BSC014N06NSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC014N06NSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC014N06NSATMA1 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : BSC014N06NSATMA1
Tagagawa : Infineon Technologies
Paglalarawan : MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
Serye : OptiMOS™
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 60V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta), 100A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.45 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6500pF @ 30V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : PG-TDSON-8
Pakete / Kaso : 8-PowerTDFN