ON Semiconductor - FQP6N80C

KEY Part #: K6392731

FQP6N80C Pagpepresyo (USD) [41564pcs Stock]

  • 1 pcs$0.94072
  • 1,000 pcs$0.32459

Bilang ng Bahagi:
FQP6N80C
Tagagawa:
ON Semiconductor
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - Mga SCR, Mga Transistor - JFET, Thyristors - SCR - Mga Module, Transistor - Espesyal na Pakay, Transistor - IGBTs - Arrays, Diode - Rectifiers - Single and Diode - Zener - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in ON Semiconductor FQP6N80C electronic components. FQP6N80C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP6N80C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP6N80C Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : FQP6N80C
Tagagawa : ON Semiconductor
Paglalarawan : MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
Serye : QFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 800V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1310pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 158W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Package ng Tagabigay ng Device : TO-220-3
Pakete / Kaso : TO-220-3

Maaari ka ring Makisalamuha sa