Micron Technology Inc. - MT47H64M8SH-25E AIT:H

KEY Part #: K938190

MT47H64M8SH-25E AIT:H Pagpepresyo (USD) [19486pcs Stock]

  • 1 pcs$2.36328
  • 1,518 pcs$2.35152

Bilang ng Bahagi:
MT47H64M8SH-25E AIT:H
Tagagawa:
Micron Technology Inc.
Detalyadong Paglalarawan:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Clock / Timing - Mga Baterya ng IC, PMIC - Mga driver ng Display, PMIC - Mga Regulator ng Boltahe - DC Regulator ng , Interface - Mga Paglipat ng Analog - Espesyal na P, PMIC - Mga Regulator ng Boltahe - Mga DC Controlle, Logic - Mga Buffer, Mga driver, Mga Tagatanggap, M, Clock / Timing - Clock Buffer, Mga driver and Lohika - Mga Lat ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT:H electronic components. MT47H64M8SH-25E AIT:H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H64M8SH-25E AIT:H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H64M8SH-25E AIT:H Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : MT47H64M8SH-25E AIT:H
Tagagawa : Micron Technology Inc.
Paglalarawan : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Last Time Buy
Uri ng memorya : Volatile
Format ng memorya : DRAM
Teknolohiya : SDRAM - DDR2
Laki ng memorya : 512Mb (64M x 8)
Dalas ng Orasan : 400MHz
Sumulat ng Oras ng Ikot - Salita, Pahina : 15ns
Oras ng pagtanggap : 400ps
Memory Interface : Parallel
Boltahe - Supply : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 95°C (TC)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 60-TFBGA
Package ng Tagabigay ng Device : 60-FBGA (10x18)

Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)