Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG2S0HBAI4

KEY Part #: K938182

TC58BYG2S0HBAI4 Pagpepresyo (USD) [19471pcs Stock]

  • 1 pcs$2.35334

Bilang ng Bahagi:
TC58BYG2S0HBAI4
Tagagawa:
Toshiba Memory America, Inc.
Detalyadong Paglalarawan:
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Clock / Timing - Mga Baterya ng IC, PMIC - V / F at F / V Mga Converter, PMIC - O Mga Controller, Ideal Diode, Interface - Analog switch, Multiplexers, Demultipl, Logic - Mga Tagapagsalin, Mga Antas ng Antas, Naka-embed - FPGAs (Ganap na Programmable Gate Arr, Memorya - Mga Baterya and PMIC - Controller ng ilaw, Ballast ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI4 electronic components. TC58BYG2S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG2S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG2S0HBAI4 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : TC58BYG2S0HBAI4
Tagagawa : Toshiba Memory America, Inc.
Paglalarawan : 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Serye : Benand™
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng memorya : Non-Volatile
Format ng memorya : FLASH
Teknolohiya : FLASH - NAND (SLC)
Laki ng memorya : 4G (512M x 8)
Dalas ng Orasan : -
Sumulat ng Oras ng Ikot - Salita, Pahina : 25ns
Oras ng pagtanggap : 25ns
Memory Interface : Parallel
Boltahe - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 85°C (TA)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 63-VFBGA
Package ng Tagabigay ng Device : 63-TFBGA (9x11)

Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)