Vishay Siliconix - SI4776DY-T1-GE3

KEY Part #: K6415726

SI4776DY-T1-GE3 Pagpepresyo (USD) [383787pcs Stock]

  • 1 pcs$0.09638
  • 2,500 pcs$0.09104

Bilang ng Bahagi:
SI4776DY-T1-GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Mga module ng Power driver, Diode - RF, Thyristors - Mga SCR, Transistor - Espesyal na Pakay, Diode - Rectifiers - Arrays and Diode - Zener - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3 electronic components. SI4776DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4776DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4776DY-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI4776DY-T1-GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Serye : SkyFET®, TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Obsolete
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 11.9A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 521pF @ 15V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 4.1W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TA)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : 8-SO
Pakete / Kaso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)