Bilang ng Bahagi :
EPC2103ENGRT
Paglalarawan :
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Katayuan ng Bahagi :
Active
Uri ng FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Tampok ng FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain sa Source Voltage (Vdss) :
80V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
7600pF @ 40V
Temperatura ng pagpapatakbo :
-
Uri ng Pag-mount :
Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device :
Die