EPC - EPC2012C

KEY Part #: K6417098

Mga Kategorya ng Pamilya:: Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Mga module ng Power driver, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - Mga TRIAC, Transistor - IGBTs - Arrays, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistor - Bipolar (BJT) - Single ...

Kumpetensyang Pakinabang:: We specialize in EPC EPC2012C electronic components. EPC2012C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2012C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Bilang ng Bahagi : EPC2012C

Tagagawa : EPC

Paglalarawan : GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

Serye : eGaN®

Katayuan ng Bahagi : Active

Uri ng FET : N-Channel

Teknolohiya : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain sa Source Voltage (Vdss) : 200V

Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)

Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -4V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 100V

Tampok ng FET : -

Power Dissipation (Max) : -

Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount : Surface Mount

Package ng Tagabigay ng Device : Die Outline (4-Solder Bar)

Pakete / Kaso : Die

Maaari ka ring Makisalamuha sa