Toshiba Semiconductor and Storage - TK10J80E,S1E

KEY Part #: K6417647

TK10J80E,S1E Pagpepresyo (USD) [37612pcs Stock]

  • 1 pcs$1.21125
  • 25 pcs$1.20523

Bilang ng Bahagi:
TK10J80E,S1E
Tagagawa:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V TO-3PN.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Espesyal na Pakay, Transistors - IGBTs - Single, Thyristors - Mga TRIAC, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Transistor - Programmable Unijunction, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays and Diode - Zener - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E electronic components. TK10J80E,S1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10J80E,S1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10J80E,S1E Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : TK10J80E,S1E
Tagagawa : Toshiba Semiconductor and Storage
Paglalarawan : MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Serye : π-MOSVIII
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 800V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 250W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Package ng Tagabigay ng Device : TO-3P(N)
Pakete / Kaso : TO-3P-3, SC-65-3

Maaari ka ring Makisalamuha sa