ON Semiconductor - FQB8N60CTM

KEY Part #: K6392737

FQB8N60CTM Pagpepresyo (USD) [82440pcs Stock]

  • 1 pcs$0.47429
  • 800 pcs$0.39487

Bilang ng Bahagi:
FQB8N60CTM
Tagagawa:
ON Semiconductor
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Diode - Rectifiers - Arrays, Mga Transistor - JFET, Transistor - IGBTs - Mga Module, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased and Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in ON Semiconductor FQB8N60CTM electronic components. FQB8N60CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB8N60CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB8N60CTM Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : FQB8N60CTM
Tagagawa : ON Semiconductor
Paglalarawan : MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Serye : QFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 600V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1255pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : D²PAK (TO-263AB)
Pakete / Kaso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Maaari ka ring Makisalamuha sa