Alliance Memory, Inc. - AS4C2M32S-6BIN

KEY Part #: K938185

AS4C2M32S-6BIN Pagpepresyo (USD) [19471pcs Stock]

  • 1 pcs$2.26079
  • 10 pcs$2.06512
  • 25 pcs$2.02563
  • 50 pcs$2.01171
  • 100 pcs$1.80467
  • 250 pcs$1.79772
  • 500 pcs$1.68551
  • 1,000 pcs$1.61379

Bilang ng Bahagi:
AS4C2M32S-6BIN
Tagagawa:
Alliance Memory, Inc.
Detalyadong Paglalarawan:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 3.3V, 2M x 32 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Clock / Timing - Mga Tagabuo ng Clock, PLL, Mga Ma, Logic - Flip Flops, Interface - Mga Controller, Naka-embed - FPGAs (Ganap na Programmable Gate Arr, PMIC - Mga Regulator ng Boltahe - Mga DC Controlle, Interface - Mga CODEC, Interface - Mga Modem - Mga IC at Modules and Interface - Mga Paglipat ng Analog - Espesyal na P ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BIN electronic components. AS4C2M32S-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C2M32S-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C2M32S-6BIN Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : AS4C2M32S-6BIN
Tagagawa : Alliance Memory, Inc.
Paglalarawan : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng memorya : Volatile
Format ng memorya : DRAM
Teknolohiya : SDRAM
Laki ng memorya : 64Mb (2M x 32)
Dalas ng Orasan : 166MHz
Sumulat ng Oras ng Ikot - Salita, Pahina : 2ns
Oras ng pagtanggap : 5.4ns
Memory Interface : Parallel
Boltahe - Supply : 3V ~ 3.6V
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 85°C (TA)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 90-TFBGA
Package ng Tagabigay ng Device : 90-TFBGA (8x13)

Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)