Vishay Siliconix - IRF9Z10

KEY Part #: K6393526

IRF9Z10 Pagpepresyo (USD) [54709pcs Stock]

  • 1 pcs$0.71827
  • 1,000 pcs$0.71470

Bilang ng Bahagi:
IRF9Z10
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Diode - Zener - Single, Transistor - Programmable Unijunction, Transistor - IGBTs - Arrays, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Transistors - IGBTs - Single and Transistor - Bipolar (BJT) - Single ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix IRF9Z10 electronic components. IRF9Z10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9Z10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z10 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : IRF9Z10
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : P-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 60V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 6.7A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 43W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Package ng Tagabigay ng Device : TO-220AB
Pakete / Kaso : TO-220-3