Vishay Siliconix - SI5947DU-T1-GE3

KEY Part #: K6524081

[3950pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    SI5947DU-T1-GE3
    Tagagawa:
    Vishay Siliconix
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Thyristors - Mga SCR, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Transistors - IGBTs - Single, Transistor - Espesyal na Pakay, Thyristors - SCR - Mga Module, Transistor - IGBTs - Mga Module, Thyristors - Mga TRIAC and Diode - Rectifiers - Single ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5947DU-T1-GE3 electronic components. SI5947DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5947DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5947DU-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : SI5947DU-T1-GE3
    Tagagawa : Vishay Siliconix
    Paglalarawan : MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
    Serye : TrenchFET®
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : 2 P-Channel (Dual)
    Tampok ng FET : Logic Level Gate
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 20V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 10V
    Kapangyarihan - Max : 10.4W
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Surface Mount
    Pakete / Kaso : PowerPAK® ChipFET™ Dual
    Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® ChipFet Dual