Diodes Incorporated - DMN3730UFB4-7B

KEY Part #: K6416425

DMN3730UFB4-7B Pagpepresyo (USD) [1432838pcs Stock]

  • 1 pcs$0.02581

Bilang ng Bahagi:
DMN3730UFB4-7B
Tagagawa:
Diodes Incorporated
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristors - SCR - Mga Module, Diode - Rectifiers - Arrays, Transistor - IGBTs - Arrays, Transistor - Espesyal na Pakay, Mga Transistor - JFET, Diode - Mga Rectifier ng Bridge and Mga Transistor - FET, MOSFET - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B electronic components. DMN3730UFB4-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3730UFB4-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3730UFB4-7B Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : DMN3730UFB4-7B
Tagagawa : Diodes Incorporated
Paglalarawan : MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006
Serye : Automotive, AEC-Q101
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 30V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 750mA (Ta)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 64.3pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 470mW (Ta)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : X2-DFN1006-3
Pakete / Kaso : 3-XFDFN