Renesas Electronics America - RJH60F6BDPQ-A0#T0

KEY Part #: K6421763

RJH60F6BDPQ-A0#T0 Pagpepresyo (USD) [15638pcs Stock]

  • 1 pcs$2.63539
  • 10 pcs$2.35246
  • 25 pcs$2.11712

Bilang ng Bahagi:
RJH60F6BDPQ-A0#T0
Tagagawa:
Renesas Electronics America
Detalyadong Paglalarawan:
IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Rectifiers - Arrays, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Mga Transistor - JFET, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Transistor - IGBTs - Mga Module, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF and Transistor - Programmable Unijunction ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Renesas Electronics America RJH60F6BDPQ-A0#T0 electronic components. RJH60F6BDPQ-A0#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJH60F6BDPQ-A0#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJH60F6BDPQ-A0#T0 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : RJH60F6BDPQ-A0#T0
Tagagawa : Renesas Electronics America
Paglalarawan : IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng IGBT : Trench
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) : 600V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) : 85A
Kasalukuyang - Kolektor ng Pulsed (Icm) : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.75V @ 15V, 45A
Kapangyarihan - Max : 297.6W
Paglipat ng Enerhiya : -
Uri ng input : Standard
Gate Charge : -
Td (on / off) @ 25 ° C : 58ns/131ns
Kondisyon ng Pagsubok : 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Temperatura ng pagpapatakbo : 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Pakete / Kaso : TO-247-3
Package ng Tagabigay ng Device : TO-247A

Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

  • SSM3K7002KF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.4A.

  • 2N7002

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23.