NXP USA Inc. - BS108,126

KEY Part #: K6400311

[3442pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    BS108,126
    Tagagawa:
    NXP USA Inc.
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistors - IGBTs - Single, Diode - Zener - Arrays, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistor - Espesyal na Pakay, Mga module ng Power driver, Mga Transistor - JFET and Transistor - Mga FET, MOSFET - Single ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in NXP USA Inc. BS108,126 electronic components. BS108,126 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS108,126, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BS108,126 Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : BS108,126
    Tagagawa : NXP USA Inc.
    Paglalarawan : MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
    Serye : -
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : N-Channel
    Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 200V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 300mA (Ta)
    Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 2.8V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V
    Tampok ng FET : -
    Power Dissipation (Max) : 1W (Ta)
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Through Hole
    Package ng Tagabigay ng Device : TO-92-3
    Pakete / Kaso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)