Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG1S3HBAI6

KEY Part #: K939728

TC58BYG1S3HBAI6 Pagpepresyo (USD) [26323pcs Stock]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850
  • 250 pcs$0.91770
  • 500 pcs$0.91428

Bilang ng Bahagi:
TC58BYG1S3HBAI6
Tagagawa:
Toshiba Memory America, Inc.
Detalyadong Paglalarawan:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Lohika - Multivibrator, Interface - Dalubhasa, Naka-embed - Microprocessors, Logic - Mga Tagapagsalin, Mga Antas ng Antas, PMIC - Mga Controller ng Hot Swap, PMIC - Mga driver ng Laser, Interface - Mga Module and Linear - Mga Amplifier - Instrumentation, OP Amps, ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI6 electronic components. TC58BYG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG1S3HBAI6 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : TC58BYG1S3HBAI6
Tagagawa : Toshiba Memory America, Inc.
Paglalarawan : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Serye : Benand™
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng memorya : Non-Volatile
Format ng memorya : FLASH
Teknolohiya : FLASH - NAND (SLC)
Laki ng memorya : 2Gb (256M x 8)
Dalas ng Orasan : -
Sumulat ng Oras ng Ikot - Salita, Pahina : 25ns
Oras ng pagtanggap : 25ns
Memory Interface : Parallel
Boltahe - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 85°C (TA)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 67-VFBGA
Package ng Tagabigay ng Device : 67-VFBGA (6.5x8)

Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM