GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

GA10JT12-247 Pagpepresyo (USD) [2103pcs Stock]

  • 1 pcs$10.16943
  • 10 pcs$9.24469
  • 25 pcs$8.55122
  • 100 pcs$7.47449
  • 250 pcs$6.81498

Bilang ng Bahagi:
GA10JT12-247
Tagagawa:
GeneSiC Semiconductor
Detalyadong Paglalarawan:
TRANS SJT 1.2KV 10A.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga module ng Power driver, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Espesyal na Pakay, Transistor - Programmable Unijunction, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single and Mga Transistor - FET, MOSFET - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 electronic components. GA10JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA10JT12-247 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : GA10JT12-247
Tagagawa : GeneSiC Semiconductor
Paglalarawan : TRANS SJT 1.2KV 10A
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Obsolete
Uri ng FET : -
Teknolohiya : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 1200V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 170W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : 175°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Package ng Tagabigay ng Device : TO-247AB
Pakete / Kaso : TO-247-3
Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • NP60N055VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

  • NP60N04VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • TK16A60W5,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.