Infineon Technologies - DF200R12PT4B6BOSA1

KEY Part #: K6534172

DF200R12PT4B6BOSA1 Pagpepresyo (USD) [505pcs Stock]

  • 1 pcs$91.86184

Bilang ng Bahagi:
DF200R12PT4B6BOSA1
Tagagawa:
Infineon Technologies
Detalyadong Paglalarawan:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Espesyal na Pakay, Diode - RF, Diode - Rectifiers - Single, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Thyristors - SCR - Mga Module, Transistor - Programmable Unijunction, Transistor - IGBTs - Mga Module and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Infineon Technologies DF200R12PT4B6BOSA1 electronic components. DF200R12PT4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12PT4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12PT4B6BOSA1 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : DF200R12PT4B6BOSA1
Tagagawa : Infineon Technologies
Paglalarawan : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng IGBT : Trench Field Stop
Pag-configure : Three Phase Inverter
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) : 1200V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) : 300A
Kapangyarihan - Max : 1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max) : 15µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : Yes
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 150°C
Uri ng Pag-mount : Chassis Mount
Pakete / Kaso : Module
Package ng Tagabigay ng Device : Module