Vishay Siliconix - SI2309CDS-T1-E3

KEY Part #: K6393654

SI2309CDS-T1-E3 Pagpepresyo (USD) [431769pcs Stock]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.08092

Bilang ng Bahagi:
SI2309CDS-T1-E3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Diode - Zener - Single, Thyristors - DIACs, SIDACs, Mga module ng Power driver, Transistor - Espesyal na Pakay, Mga Transistor - JFET, Thyristors - Mga SCR, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays and Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-E3 electronic components. SI2309CDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2309CDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2309CDS-T1-E3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI2309CDS-T1-E3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : P-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 60V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 345 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 30V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : SOT-23-3 (TO-236)
Pakete / Kaso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3