Bilang ng Bahagi :
VS-GB200TH120N
Tagagawa :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Paglalarawan :
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Katayuan ng Bahagi :
Active
Pag-configure :
Half Bridge
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) :
1200V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) :
360A
Kapangyarihan - Max :
1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 200A
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max) :
5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
14.9nF @ 25V
Temperatura ng pagpapatakbo :
150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount :
Chassis Mount
Pakete / Kaso :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Package ng Tagabigay ng Device :
Double INT-A-PAK