Vishay Siliconix - SQJQ980EL-T1_GE3

KEY Part #: K6525117

SQJQ980EL-T1_GE3 Pagpepresyo (USD) [74376pcs Stock]

  • 1 pcs$0.52571

Bilang ng Bahagi:
SQJQ980EL-T1_GE3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Transistors - IGBTs - Single, Transistor - Espesyal na Pakay, Diode - Rectifiers - Single, Diode - RF, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF and Transistor - IGBTs - Mga Module ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SQJQ980EL-T1_GE3 electronic components. SQJQ980EL-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJQ980EL-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJQ980EL-T1_GE3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SQJQ980EL-T1_GE3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8
Serye : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : 2 N-Channel (Dual)
Tampok ng FET : Standard
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 80V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1995pF @ 40V
Kapangyarihan - Max : 187W
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® 8 x 8 Dual