Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938377

TC58BYG2S0HBAI6 Pagpepresyo (USD) [20269pcs Stock]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
  • 25 pcs$1.66867
  • 50 pcs$1.65941
  • 100 pcs$1.48816

Bilang ng Bahagi:
TC58BYG2S0HBAI6
Tagagawa:
Toshiba Memory America, Inc.
Detalyadong Paglalarawan:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Lohika - Mga Gate at Inverters, Lohika - Mga Pag-andar ng Universal Bus, PMIC - Mga Regulator ng Boltahe - Linear + Paglipa, PMIC - Sanggunian ng Boltahe, PMIC - Mga Controller ng Power Supply, Mga Monitor, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controller, Interface - Mga UART (Universal Asynchronous Recei and Interface - Mga Controller ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6 electronic components. TC58BYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG2S0HBAI6 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : TC58BYG2S0HBAI6
Tagagawa : Toshiba Memory America, Inc.
Paglalarawan : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Serye : Benand™
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng memorya : Non-Volatile
Format ng memorya : FLASH
Teknolohiya : FLASH - NAND (SLC)
Laki ng memorya : 4Gb (512M x 8)
Dalas ng Orasan : -
Sumulat ng Oras ng Ikot - Salita, Pahina : 25ns
Oras ng pagtanggap : 25ns
Memory Interface : Parallel
Boltahe - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 85°C (TA)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Pakete / Kaso : 67-VFBGA
Package ng Tagabigay ng Device : 67-VFBGA (6.5x8)

Maaari ka ring Makisalamuha sa
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v