ON Semiconductor - HGTP12N60A4D

KEY Part #: K6422994

HGTP12N60A4D Pagpepresyo (USD) [31809pcs Stock]

  • 1 pcs$1.29566
  • 800 pcs$0.70680

Bilang ng Bahagi:
HGTP12N60A4D
Tagagawa:
ON Semiconductor
Detalyadong Paglalarawan:
IGBT 600V 54A 167W TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Thyristors - Mga SCR, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristors - SCR - Mga Module, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Transistor - Espesyal na Pakay and Mga Transistor - JFET ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in ON Semiconductor HGTP12N60A4D electronic components. HGTP12N60A4D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP12N60A4D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP12N60A4D Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : HGTP12N60A4D
Tagagawa : ON Semiconductor
Paglalarawan : IGBT 600V 54A 167W TO220AB
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Not For New Designs
Uri ng IGBT : -
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) : 600V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) : 54A
Kasalukuyang - Kolektor ng Pulsed (Icm) : 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 12A
Kapangyarihan - Max : 167W
Paglipat ng Enerhiya : 55µJ (on), 50µJ (off)
Uri ng input : Standard
Gate Charge : 78nC
Td (on / off) @ 25 ° C : 17ns/96ns
Kondisyon ng Pagsubok : 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Pakete / Kaso : TO-220-3
Package ng Tagabigay ng Device : TO-220-3